プレスリリース
データセンター向けSSDへの適用を目指した相変化デバイスの低消費電力動作に成功－GeTe/Sb2Te3超格子膜の電荷注入機構を発見、低消費電力動作を実証
2013年6月10日
超低電力デバイス技術研究組合
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
概要
独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（理事長：古川一夫/以下、NEDOと略記）と超低電力デバイス技術研究組合（理事長：豊木則行/以下、LEAPと略記）は国立大学法人筑波大学との共同研究により、データセンター向け固体ストレージSSD（Solid State Drive）への適用を目指した、低消費電力で動作する相変化デバイスの動作実証に成功しました。
SSDの不揮発メモリには、現在、フラッシュメモリが用いられています。フラッシュメモリは多値記憶（2ビット記憶）により大容量化を達成していますが、高い内部電圧が必要なことと低いデータ転送速度を補うために消費電力が増大する等の課題があります。今後、データセンターに用いられる SSDにはこれまでにない高速処理能力が求められます。特に、アクセスが集中するストレージ階層に相変化デバイスを使用し、これまでにない高速、低電力、高信頼などの特性を新たにSSDに付加することが重要です。
今回、抵抗変化でデータを保持する相変化デバイスにおいて、GeTe/Sb2Te3超格子膜の電荷注入による動作の機構を見出しました。さらに、ばらつきの少ないGeTe/Sb2Te3超格子結晶膜を得ることで、従来の相変化デバイスと比較して1/2以下の電圧と1/3以下の電流での動作が可能となりました。開発した相変化デバイスを適用することで、これまでにない高速、低電力、高信頼などの特性をSSDに付加できます。さらに高性能化に伴ってチップ点数の削減による低コスト化などのシステムメリットをもたらすと同時に、データセンターの低電力化に貢献することが期待されます。今後、実用化を目指した集積化実証の研究開発を進めていきます。